IPM將功率器件連同其驅(qū)動(dòng)電路和多種保護(hù)電路封裝在同一模塊內(nèi),進(jìn)行過(guò)完美的匹配,使系統(tǒng)設(shè)計(jì)者從繁瑣的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)中解脫出來(lái),同時(shí)提高了系統(tǒng)的可靠性。
公司現(xiàn)有產(chǎn)品包括:IPM23,IPM24,IPM25,IPM26,IPM29。
封裝形式有:DIP23,SOP23,PQFN,DIP24,DIP25,DIP26,DIP29。
IPM特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì):
封裝形式 | 產(chǎn)品型號(hào) |
電壓 |
電流 |
絕緣耐壓 |
優(yōu)化開(kāi)關(guān) |
器件 |
推薦功率 |
熱接口 |
自舉 |
欠壓 |
過(guò)流 |
溫度 |
互鎖 |
RDS(on)(Typ) |
VF |
Rth |
PQFN8*9 | XNM03H54D5 | 500 | 3 | 1.5 | 20 | MOSFET | 50 | PCB | 是 | 是 | 否 | 否 | 是 | 3 | 1.5 | 1.6 |
XNM05H54D5 | 500 | 5 | 1.5 | 20 | MOSFET | 120 | PCB | 是 | 是 | 否 | 否 | 是 | 1.6 | 1.5 | 1.25 | |
XNS04H54D6 | 600 | 4 | 1.5 | 20 | IGBT | 60 | PCB | 是 | 是 | 否 | 否 | 是 | 2.4 | 1.3 | 2 | |
XNS06H54D6 | 600 | 6 | 1.5 | 20 | IGBT | 150 | PCB | 是 | 是 | 否 | 否 | 是 | 2.1 | 1.4 | 1.3 | |
DIP23(SOP)23 | XNM02S23H6 | 600 | 2 | 1.5 | 20 | MOSFET | 120 | 塑料 | 是 | 是 | 否 | NTC | 是 | 4.5 | 1.5 | 9.3 |
XNM03S23D5 | 500 | 3 | 1.5 | 20 | MOSFET | 150 | 塑料 | 是 | 是 | 否 | 否 | 是 | 2.6 | 1.5 | 9.1 | |
XNM05S23H5 | 500 | 5 | 1.5 | 20 | MOSFET | 170 | 塑料 | 是 | 是 | 否 | NTC | 是 | 1.6 | 1.5 | 6.13 | |
XNS03S23H6 | 600 | 3 | 1.5 | 20 | IGBT | 150 | 塑料 | 是 | 是 | 否 | NTC | 是 | 2.4 | 1.25 | 6.5 | |
XNS06S23H6 | 600 | 6 | 1.5 | 20 | IGBT | 200 | 塑料 | 是 | 是 | 否 | NTC | 是 | 2.1 | 1.4 | 5.5 | |
DIP24 | XNS06S84F6 | 600 | 6 | 2 | 20 | IGBT | 400 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 2.1 | 1.4 | 4.1 |
XNS10S84F6 | 600 | 10 | 2 | 20 | IGBT | 800 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 1.8 | 1.5 | 2.8 | |
DIP25 | XNS06S72F6 | 600 | 6 | 1.5 | 20 | IGBT | 400 | 塑料 | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 2 | 1.5 | 5.3 |
XNS08S72F6 | 600 | 8 | 1.5 | 20 | IGBT | 800 | 塑料 | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 2 | 1.5 | 5 | |
XNS10S73E6 | 600 | 10 | 1.5 | 20 | IGBT | 1000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 否 | 1.9 | 1.7 | 2.3 | |
XNS15S73E6 | 600 | 15 | 1.5 | 20 | IGBT | 1500 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 否 | 1.9 | 1.9 | 2.05 | |
XNS20S73E6 | 600 | 20 | 1.5 | 20 | IGBT | 2000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 否 | 1.7 | 1.5 | 1.62 | |
XNS30S73E6 | 600 | 30 | 1.5 | 20 | IGBT | 3000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 否 | 1.7 | 1.6 | 1.38 | |
DIPS26 | XNS10SM1E6 | 600 | 10 | 2 | 20 | IGBT | 1000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 否 | 1.9 | 1.7 | 2.65 |
XNS15SM1E6 | 600 | 15 | 2 | 20 | IGBT | 1500 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 否 | 1.9 | 1.9 | 2.15 | |
DIP29 | XNS30S12E6 | 600 | 30 | 2.5 | 20 | IGBT | 3000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 是 | 1.7 | 1.4 | 1.2 |
XNS50S12E6 | 600 | 50 | 2.5 | 20 | IGBT | 5000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 是 | 1.7 | 1.5 | 0.89 | |
XNS10S12FT | 1200 | 10 | 2.5 | 20 | IGBT | 2000 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 1.4 | 1.47 | 1.3 | |
XNS15S12FT | 1200 | 15 | 2.5 | 20 | IGBT | 2500 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 2.1 | 2.2 | 1.3 | |
XNS25S12FT | 1200 | 25 | 2.5 | 20 | IGBT | 4000 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 1.8 | 2 | 0.9 | |
XNC20S12FT | 1200 | 20 | 2.5 | 80 | SiC-MOSFET | 2500 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 80mΩ | 3.5 | 1.3 |