DIP26 IPM特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì):
封裝形式 |
絕緣耐壓 |
優(yōu)化開(kāi)關(guān) |
器件 |
推薦功率 |
熱接口 |
自舉 |
欠壓 |
過(guò)流 |
溫度 |
互鎖 |
RDS(on)(Typ) |
VF |
Rth |
DIPS26 | XNS10SM1E6 | 20 | IGBT | 1000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 否 | 1.9 | 1.7 | 2.65 |
XNS15SM1E6 | 20 | IGBT | 1500 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 否 | 1.9 | 1.9 | 2.15 |